特許

J-GLOBAL ID：200903032709355796

半導体レーザ及びこれを用いた光学装置

発明者： 佐原 健志 ,  成井 啓修 ,  土居 正人 ,  松田 修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177978
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237045
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 戻り光量を考慮して半導体レーザの戻り光誘起雑音を低減化すると共に、その共振器構造の最適化をはかって、活性層内のキャリア密度を一定値以下にし、低消費電力動作のもとで信頼性の確保をはかり、寿命の長期化をはかる。【構成】 相対的にエネルギーギャップの大きい材料によって2次元的に閉じ込められた活性層4を有し、且つこの活性層4に直接接した電流ブロック層6〜8を有して成り、少なくとも光出射側の共振器端面14Aの反射率を5%以下として共振器損失を100cm-1以上とし、閾キャリア密度を2.5×1018cm-3以下となるように活性層4の厚さ、幅及び共振器長を選定して構成する。

請求項（抜粋）：

相対的にエネルギーギャップの大きい材料によって2次元的に閉じ込められた活性層を有し、且つ上記活性層に直接接した電流ブロック層を有して成り、少なくとも光出射側の共振器端面の反射率が5%以下とされて共振器損失が100cm-1以上とされ、閾キャリア密度が2.5×1018cm-3以下となるように上記活性層の厚さ、幅及び共振器長が選定されて成ることを特徴とする半導体レーザ。