特許
J-GLOBAL ID：200903032713715357

高周波プラズマCVDシミュレータ及び高周波プラズマCVDシミュレーション方法

発明者：
佐竹 宏次

佐竹 宏次 について

, 
茂中 俊明

茂中 俊明 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286863
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107253
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVDに伴う反応の全体を経験則に依存することなく非経験的で客観的なパラメータを用いて最適な製膜条件を得ることができる高周波プラズマCVDシミュレータ及び高周波プラズマCVDシミュレーション方法を提供する。【解決手段】 高周波プラズマCVD装置におけるガス種、ガス圧力、ガス流量、電源電力、電源周波数、電極-基板間距離、基板温度、ガス滞留時間、反応容器体積、反応容器内表面積、基板面積の各データから、基板表面に形成される薄膜の製膜シミュレーションを行う高周波プラズマCVDシミュレータにおいて、プラズマ反応の反応速度定数は高周波プラズマ解析から求めた値を用いて製膜シミュレーションを行い、気相・膜表面反応の反応速度定数はオフラインの量子化学計算と遷移状態理論から求めた値を用いて製膜シミュレーションを行い、これらの反応速度定数を用いて製膜速度及び膜物性を算出する。
請求項（抜粋）：
高周波プラズマCVD装置におけるガス種、ガス圧力、ガス流量、電源電力、電源周波数、電極-基板間距離、基板温度、ガス滞留時間、反応容器体積、反応容器内表面積、基板面積の各データから、基板表面に形成される薄膜の製膜シミュレーションを行う高周波プラズマCVDシミュレータにおいて、プラズマ反応の反応速度定数は高周波プラズマ解析から求めた値を用いて製膜シミュレーションを行い、気相・膜表面反応の反応速度定数はオフラインの量子化学計算と遷移状態理論から求めた値を用いて製膜シミュレーションを行い、これらのシミュレーションを通じて製膜速度及び膜物性を算出することを特徴とする高周波プラズマCVDシミュレータ。
IPC (2件)：
C23C 16/505 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C23C 16/505 ,  H01L 21/205
Fターム (15件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA18 ,  4K030JA20 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045GB17
引用特許：
出願人引用 (1件)

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