特許

J-GLOBAL ID：200903032719420405

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 鈴木 篤
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-325590
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173171
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の性能を劣化させることなく、ゲート電極内のホウ素がゲート絶縁膜側に突き抜けるのを防止する。【解決手段】 シリコン酸化膜3およびシリコン酸窒化膜4によって、ゲート絶縁膜10が形成されている。これにより、ゲート電極5からのホウ素原子の拡散、突き抜けを防止することができる。よって、P型MOSトランジスタのしきい値電圧の変動を防止でき、ゲート絶縁膜10の信頼性を維持できる。また、ゲート絶縁膜10においては、シリコン酸窒化膜4がシリコン酸化膜3の上側に形成されているので、ポリシリコンの空乏化やトランスコンダクタの低下等の素子の性能劣化を防止することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に絶縁膜を介してゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン基板を熱酸化することによって上面にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜の上に、窒素を導入させたシリコン酸窒化膜を形成する工程と、前記シリコン酸窒化膜上にシリコンを堆積し、前記堆積したシリコンにホウ素を導入させてゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C