特許

J-GLOBAL ID：200903032722668868

ドライエッチング方法

発明者： 於久 泰三 ,  青木 淳一
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302516
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162441
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、エッチング加工面の粗さが小さく、かつ、ピットの発生を低減可能なドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 化合物半導体材料のドライエッチング方法において、該化合物半導体材料がGa系の窒化物からなる薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガスを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがCl2,SiCl4,BCl3のうち少なくとも1つの材料からなることを特徴とする。また、前記酸素ガスの流量が、0.25〜0.45sccmであることを特徴とする。さらに、前記酸素ガスの流量が、0.5〜0.35sccmであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体材料のドライエッチング方法において、該化合物半導体材料がGa系の窒化物からなる薄膜であり、プラズマ励起するガスが少なくとも酸素ガスを含む塩素系ガスであり、かつ、該塩素系ガスがCl2,SiCl4,BCl3のうち少なくとも1つの材料からなることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-297931
  
• 特開平4-034929
  
• 特開平2-297931
  
• 特開平4-034929
  

審査官引用 (4件)

• 特開平2-297931
  
• 特開平2-297931
  
• 特開平4-034929
  
• 特開平4-034929