特許

J-GLOBAL ID：200903032724128526

磁気不揮発性ランダム・アクセス・メモリ

発明者： マイケル・ジョン・ブラディー ,  リチャード・ジョーゼフ・ガンビーノ ,  リア・クルシン=エルバウム ,  ラルフ・アール・ルフ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050311
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326263
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は長期的に信頼でき、消費者製品、携帯式コンピュータ、および軍用などその他の電子システム用の頑丈な不揮発性ランダム・アクセス・メモリ(NVRAM)を提供すること。【構成】 複数のメモリ・セルを備え、各メモリ・セルが、非晶質の磁性材料と電流を送るためのスイッチとを含むホール効果デバイスを有する、不揮発性ランダム・アクセス・メモリであり、メモリ・セルのアレイは、ワード線、電流線、およびビット線によって相互接続されている。本発明は、長期的に信頼できる頑丈な不揮発性ランダム・アクセス・メモリについての問題を解消する。

請求項（抜粋）：

ホール効果デバイスの二次元アレイを備え、各ホール効果デバイスが、ワード線、電流線、およびビット線に接続され、電流線への接続がスイッチを介して行われ、ワード線が前記スイッチの制御入力に接続され、ワード線上の電圧によって電流線を活動化しスイッチをオンにすることによってホール効果デバイス中を電流が流れるときに、ビット線上の電圧を測定することによって、ホール効果デバイスの磁気状態が感知されることを特徴とする、不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 43/06