特許

J-GLOBAL ID：200903032727791609

磁性薄膜メモリおよびその記録再生方法

発明者： 西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359633
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187976
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 従来の半導体メモリおよび巨大磁気抵抗効果膜を用いた磁気固体メモリにおいて集積度を従来に比べて飛躍的に向上した磁気固体メモリの提供。【解決手段】 低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜と、該磁気抵抗膜近傍に設けられた良導体からなる書込み線とを有する磁性薄膜メモリ素子が、基板上に少なくとも2個以上積層して配列し、かつ、前記磁気抵抗膜が並列に接続する。

請求項（抜粋）：

低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜と、該磁気抵抗膜近傍に設けられた良導体からなる書込み線とを有する磁性薄膜メモリ素子が、基板上に少なくとも2個以上積層して配列してなり、かつ、前記磁気抵抗膜が並列に接続されてなることを特徴とする磁性薄膜メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 Z

Fターム (1件)：

5F083FZ10