特許
J-GLOBAL ID：200903032730989487
アクティブマトリックス基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033646
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250212
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】オフ電流の低い画素TFTと電気的特性の均一なTFTによる周辺回路により、高表示品質、高精細表示を可能とするアクティブマトリックス基板を製造する。【構成】画素TFTをオフセットゲート構造、周辺回路を構成するTFTを標準的なセルフアライン構造とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にCMOSで構成される周辺回路内蔵型のアクティブマトリックス基板において、画素TFTはオフセット型のPまたはNチャネル型TFT、周辺回路を構成するNチャネル型TFTとPチャネル型TFTは非オフセット型のTFTで構成されていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, H01L 29/784
