特許
J-GLOBAL ID：200903032731602349
単層壁カーボンナノチューブの束
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-511359
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520615
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 2001年10月30日
要約：
【要約】本発明は単一壁炭素ナノチューブを炭素と1種以上のVIII族遷移金属の混合物をレーザーで蒸発させることによって製造する方法を提供する。単一壁炭素ナノチューブは好ましくは蒸気中に成長し、1種以上のVIII族遷移金属は単一炭素ナノチューブの成長を触媒している。本発明の1実施態様では、1種以上の単一壁炭素ナノチューブが高温帯域に固定されており、その結果1種以上のVIII族遷移金属が高温帯域に維持されている単一壁炭素ナノチューブのその後の成長を触媒する。他の実施態様では、最初のパルスで作製した蒸気によって吸収されるように時間設定されている第2のパルスで2種類の別々のレーザーパルスが実用化されている。
請求項（抜粋）：
a) 第1のレーザーパルスによって炭素および1種以上のVIII族遷移金属の混合物を蒸発させることによって炭素および1種以上のVIII族遷移金属を含む蒸気を作製し、 b) その後にその蒸気を凝縮させて、活性末端を有する単一壁炭素ナノチューブを形成し、 c) その後に単一壁炭素ナノチューブの活性末端を焼なまし帯域内に維持しながら、単一壁炭素ナノチューブの活性末端に炭素蒸気を供給することを含む単一壁炭素ナノチューブの製造方法。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101
, B01J 23/89
, B82B 3/00
, D04H 1/42
C01B 31/02 101 F
, B01J 23/89 M
, B82B 3/00
, D04H 1/42 E
