特許
J-GLOBAL ID：200903032733997650
半導体基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314258
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152306
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 ゲッタリング層を素子形成表面からの深さを制御性よく形成でき、プロセス中及び半導体装置組立後のゲッタリング効果を高める半導体基板を得んとするものである。【構成】 第1シリコンウエハ11の表面に、ゲッタリング層としてポリシリコン層12を堆積させる。次に、ポリシリコン層12のゲッタリング効果を高めるために、リン(P)を熱拡散させ、その後、第1シリコンウエハ11と第2シリコンウエハ13とを、ポリシリコン層12が中間になるように貼り合せ、900°C以上数時間以上の熱処理を施す。次いで、一方のシリコンウエハの表面から研削・研磨を行ない、ポリシリコン層12が表面から所定の深さとなるように、設定する。基板の素子形成領域に近い位置(深さ)にゲッタリング層を形成できるため、ゲッタリング効果が高まる。
請求項（抜粋）：
2枚の半導体ウエハを貼り合わせて成り、これら半導体ウエハの貼合せ境界部にゲッタリング層を有することを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/304 321
