特許
J-GLOBAL ID：200903032734614933
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235485
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 レーザ特性,信頼性の優れたリッジ型の半導体レーザを再現性よく製造する。【構成】 エッチングストッパ層105としてGeを用い、AlGaAs第2上クラッド層106の一部をAlGaAsをエッチングできかつGeがそれに対し大きなエッチング耐性を有するエッチャント(HCl)で、エッチングストッパ層105に達するまでエッチングしてリッジ110を形成するようにした。【効果】 エッチングストップが酸化によらないため、エッチングストッパ層上に酸化物が存在せず、再成長層中に酸化物に起因する結晶欠陥が発生するのを防止できる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にこれと格子整合するAlGaAs系,AlGaInP系,InP系,又はInGaAsP系材料からなるダブルヘテロ構造を有し、活性層上側に設けられたクラッド層がその活性領域上の部分の厚みがそれ以外の領域上の厚みより厚い形状を有するリッジ型の半導体レーザを製造する方法において、活性層上に第1のクラッド層,Ge膜,及び第2のクラッド層を順次成長する工程と、上記第2のクラッド層の一部を該第2のクラッド層をエッチングできかつGeがそれに対し大きなエッチング耐性を有するエッチャントを用いて上記Ge膜に達するまでエッチングしストライプ状に成形する工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
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