特許
J-GLOBAL ID：200903032736835341
オーム性電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190466
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036973
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】化合物半導体装置におけるオーム性電極の耐熱性や信頼性を向上させる。【構成】導電層2と電極配線3との界面の導電層2の表面に不純物をイオン注入して欠陥領域3を形成する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板の一主面に設けた導電層と、前記導電層の表面に設けた欠陥領域と、前記欠陥領域の表面に接触して設けた金属電極とを有することを特徴とするオーム性電極。
IPC (3件)：
H01L 29/46
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
