特許

J-GLOBAL ID：200903032740044227

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048488
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229048
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 結晶化を助長する触媒元素を用いて固相成長により得た結晶性珪素膜から、触媒元素を除去する方法を提供する。【解決手段】 触媒元素を有する結晶性珪素膜に選択的にマスクを形成し、このマスクを覆って、非晶質珪素膜を形成する。さらに、非晶質珪素膜と、結晶性珪素膜のうちマスクで覆われていない部分に燐を注入する。そして、ラピッド・サーマル・アニール(RTA)法により、珪素膜を加熱すると、非晶質珪素膜の存在によって、均質に高温となり、その結果、結晶性珪素膜のうちマスクで覆われた部分も十分に加熱され、該部分の触媒元素はゲッタリング能力の大きい燐の注入された非晶質の部分に移動する。かくして、マスクで覆われた部分の珪素膜の触媒元素濃度は低下し、これを用いて半導体デバイスを作製する。

請求項（抜粋）：

珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜上に選択的にマスクを形成する工程と、該工程においてマスクされなかった領域に15族の元素を加速注入する工程と、前記マスクおよび結晶性珪素膜を覆って、非晶質珪素膜を形成する工程と、強光を照射し、前記結晶性珪素膜を高温に加熱し、前記金属元素を前記マスクされた膜の領域から他部に移動させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G