特許

J-GLOBAL ID：200903032741629890

有機半導体素子

発明者： 永山 健一
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208211
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055653
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】電極の付着性、エッチング性、低抵抗性が向上した有機半導体素子を提供する。【解決手段】有機半導体素子は、対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、1対の電極の少なくとも一方は、有機半導体層のイオン化ポテンシャル近傍の仕事関数を有する第1金属と、第1金属よりも低い抵抗率を有する第2金属と、を含む有機半導体層に接触する合金膜からなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記1対の電極の少なくとも一方は、前記有機半導体層のイオン化ポテンシャル近傍の仕事関数を有する第1金属と、前記第1金属よりも低い抵抗率を有する第2金属と、を含む前記有機半導体層に接触する合金膜からなることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L29/80 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/28 ,  H01L29/80 V

Fターム (32件)：

5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GS09 ,  5F102GS10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HM12 ,  5F110NN01 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14