特許
J-GLOBAL ID:200903032741753752

微小部分析装置及び分析方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平木 祐輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-269237
公開番号(公開出願番号):特開2002-083564
出願日: 2000年09月05日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 軽元素のEDX分析を高精度で行う。【解決手段】 EDX分析装置を装着した電子線装置に、SEM像及び暗視野STEM像を同時に表示し、SEM像及びSTEM像の各画素における信号量を比較し、信号量の差が大きくないとき分析対象物が試料表面に存在すると判断してEDX分析を行う。
請求項(抜粋):
電子銃から発生した電子線を試料面上で走査させる手段と、試料から発生した二次電子により形成される二次電子像を表示する二次電子像表示手段と、試料を透過した電子線により形成される走査透過電子像を表示する走査透過電子像表示手段と、試料から発生した特性X線を検出し分析するX線分析手段と、前記X線分析手段による分析指定箇所に対応する前記二次電子像の画素の二次電子信号量と前記走査透過電子像の画素の透過電子信号量とを比較する比較手段とを備えることを特徴とする微小部分析装置。
IPC (5件):
H01J 37/252 ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 502 ,  H01J 37/28
FI (6件):
H01J 37/252 A ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 502 H ,  H01J 37/28 C ,  H01J 37/28 B
Fターム (25件):
2G001AA03 ,  2G001BA05 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001DA02 ,  2G001DA06 ,  2G001DA10 ,  2G001EA03 ,  2G001FA06 ,  2G001GA04 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001JA11 ,  2G001JA13 ,  2G001JA16 ,  2G001KA01 ,  5C033PP05 ,  5C033PP06 ,  5C033SS04 ,  5C033SS07 ,  5C033UU04 ,  5C033UU05 ,  5C033UU06
引用特許:
審査官引用 (3件)

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