特許

J-GLOBAL ID：200903032748537885

サイドウォールの製造方法及び半導体装置

発明者： 服部 覚 ,  原田 勝可
出願人/特許権者： 東亞合成株式会社
代理人 (1件)： 小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136620
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326125
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 熱処理により膜収縮の少ないシリコン酸化膜を用いて、ゲート絶縁膜等の側端部にサイドウォールを形成する。【構成】 CVD装置の反応容器内にゲート部分の形成されたシリコン基板を収容する。シリコン基板を400°Cに加熱し、反応容器内にトリエトキシシランを窒素ガスによってバブリングすることにより導入すると共に、酸素で希釈したオゾンを導入する。両反応ガスを反応容器内にて反応させることにより、シリコン基板上にシリコン酸化膜が形成される。このシリコン酸化膜を800°Cで20分熱処理したときの膜収縮率は約5%と非常に小さい。シリコン酸化膜を異方性エッチング法によりエッチングすることにより、ゲート部分の側端部にサイドウォールが形成される。サイドウォールは熱収縮が小さいので、半導体基板にストレスを与えず、半導体装置の特性を劣化させない。

請求項（抜粋）：

所定パターンの絶縁膜を設けた基板上にトリアルコキシシランとオゾンとを低温雰囲気中にて反応させてシリコン酸化膜を成長させるシリコン酸化膜形成工程と、前記シリコン酸化膜を異方性エッチング法によりエッチングを行うことにより、前記絶縁膜の側端部にシリコン酸化膜のサイドウォールを設けるサイドウォール形成工程とを設けたことを特徴とするサイドウォールの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-153045
  
• 特開平3-297146
  
• 特開平4-074424