特許
J-GLOBAL ID：200903032750508469
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178049
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020901
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 大面積部分の段差の上下でのパターン解像性の向上および段差上下のパターン寸法変動を約半分に低減する。【構成】 半導体基板1上にレジストを塗布し加熱することでレジスト膜2を形成する。形成されたレジスト膜2上に第一のマスク3を用いパターンに従い近紫外光を選択的に照射し、その紫外光を照射された部分4を現像によって一部除去する。レジスト膜2上に第二のマスク5を用いパターンに従い近紫外光を選択的に照射、現像しパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜上に第一のマスクを用いて選択的に第一の露光を施す工程と、前記第一の露光が施された領域を現像し、除去する工程と、前記レジスト膜上に第二のマスクを用いて第二の露光を施す工程と、前記第二の露光が施された領域を現像することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 7/26
