特許
J-GLOBAL ID:200903032752071327
ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール樹脂
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-365684
公開番号(公開出願番号):特開2000-186144
出願日: 1998年12月22日
公開日(公表日): 2000年07月04日
要約:
【要約】【課題】半導体用途に優れた熱特性、電気特性、低吸水性に優れた耐熱性樹脂を提供する。【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体及びこのポリベンゾオキサゾール前駆体を脱水閉環した構造を有するポリベンゾオキサゾール樹脂。【化1】(式(1)中、nは1〜1000までの整数を示す。R1はFまたはフルオロアルキル基でありR2はH、Fまたはフルオロアルキル基であり互いに同じであっても異なってもよい。R3及びR4はHまたは1価の有機基であり互いに同じであっても異なってもよい。Xは2価以上の有機基を表す。)
請求項(抜粋):
一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体。【化1】(式(1)中、nは1〜1000までの整数を示す。R1はFまたはフルオロアルキル基であり、R2はH、Fまたはフルオロアルキル基であり、それぞれ互いに同じであっても異なってもよい。R3及びR4はHまたは1価の有機基であり互いに同じであっても異なってもよい。Xは2価以上の有機基を表す。)
Fターム (36件):
4J043PA02
, 4J043PA04
, 4J043PA19
, 4J043PC145
, 4J043PC146
, 4J043QB34
, 4J043RA52
, 4J043SA06
, 4J043SA54
, 4J043SA71
, 4J043SA72
, 4J043SB01
, 4J043SB02
, 4J043TA12
, 4J043TA47
, 4J043TB01
, 4J043TB02
, 4J043UA121
, 4J043UA122
, 4J043VA012
, 4J043VA031
, 4J043VA052
, 4J043VA061
, 4J043VA092
, 4J043VA101
, 4J043XA16
, 4J043XB20
, 4J043YA06
, 4J043ZA12
, 4J043ZA31
, 4J043ZA43
, 4J043ZA46
, 4J043ZB11
, 4J043ZB22
, 4J043ZB23
, 4J043ZB50
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