特許

J-GLOBAL ID：200903032757125603

巨大磁気抵抗効果素子

発明者： 小野 洋明 ,  松園 淳史 ,  寺田 尚司 ,  大河原 重久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165763
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359414
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 GMR積層膜を磁気的に充分安定化でき、かつより一層感度よく情報を読み出せ、エレクトロマイグレーションを抑制できるGMR素子を得ること。【解決手段】 本発明のCPP型GMR素子1Aは、強磁性膜と非磁性膜と反強磁性膜とを有するGMR積層膜から成り、上部電極14及び下部電極12によりGMR積層膜2の膜面に垂直な方向にセンス電流Isが流されるGMR素子であって、GMR積層膜2の幅方向の両外側に、硬磁性膜3が直接接合して形成され、硬磁性膜3の上に或いは下に絶縁層4が形成され、両側の絶縁層4間の開口により、上部電極14或いは下部電極12とGMR積層膜2とのセンス電流Isの経路が規制され、硬磁性膜3へ流入しようとするセンス電流Isの分流を抑制或いは阻止するための高抵抗膜31が硬磁性膜3内に介挿されている。

請求項（抜粋）：

強磁性膜と非磁性膜と反強磁性膜とを有する巨大磁気抵抗効果積層膜から成り、上部電極及び下部電極により該巨大磁気抵抗効果積層膜の膜面に垂直な方向に電流が流される巨大磁気抵抗効果素子であって、前記巨大磁気抵抗効果積層膜の幅方向の両外側に、硬磁性膜が直接接合して形成され、前記硬磁性膜の上に或いは下に絶縁層が形成され、両側の前記絶縁層間の開口により、前記上部電極或いは前記下部電極と前記巨大磁気抵抗効果積層膜との電流の経路が規制され、前記硬磁性膜へ流入しようとする前記電流の分流を抑制或いは阻止するための高抵抗膜が前記硬磁性膜内に介挿されていることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  G01R 33/06 R

Fターム (19件)：

2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA00 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12