特許

J-GLOBAL ID：200903032760796780

タンデム型太陽電池およびその製造方法

発明者： 長島 知理 ,  加地 徹 ,  冨田 一義
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238885
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050781
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 上部セルと下部セルとの界面における抵抗損失を低減したタンデム型太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体から成る上部セルと、IV族半導体から成る下部セルとが、III-V族化合物半導体またはIV族半導体から成るバッファ層を介して積層されて成るタンデム型太陽電池であって、該バッファ層内に、結晶格子欠陥濃度を他の領域よりも高めた欠陥領域を設けた。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体から成る上部セルと、IV族半導体から成る下部セルとが、III-V族化合物半導体またはIV族半導体から成るバッファ層を介して積層されて成るタンデム型太陽電池であって、該バッファ層内に、結晶格子欠陥濃度を他の領域よりも高めた欠陥領域を設けたことを特徴とするタンデム型太陽電池。

FI (3件)：

H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 X

Fターム (8件)：

5F051AA01 ,  5F051AA08 ,  5F051AA16 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051GA04