特許
J-GLOBAL ID：200903032762849423
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法およびその素子。
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292303
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110138
出願日： 1991年10月12日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 結晶性に優れたp-n接合窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を得る。【構成】 基板上に一般式がGaXAl1-XN(0≦X≦1)で表されるバッファ層と、その上に積層された少なくとも一つの層に薄膜のAlN層とGaN層が交互に成長された多層膜層とを成長させることにより、GaNの格子欠陥を多層膜層で止める。
請求項（抜粋）：
一般式がGaXAl1-XN(0≦X≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を基板上に積層する結晶成長方法であって、(a) 基板上に一般式がGaXAl1-XN(0≦X≦1)で表されるバッファ層を成長させる工程と、(b) 薄膜のAlN層とGaN層とを交互に成長させた多層膜層を成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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