特許

J-GLOBAL ID：200903032763519133

導体の形成方法

発明者： 鎌田 策雄
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332655
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144552
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 基板上に形成された絶縁層と導体層との間の熱膨張差を少なくすることにより、導体パターンの剥離を防止する。【構成】 溶射により基板1の上に発熱体としての導体4を形成する方法において、前記基板1に絶縁層2を溶射した後、この絶縁層2の上に、導体材料と絶縁材料から成る混合層3を溶射し、更に該混合層3の上に導体層4を溶射してなる。

請求項（抜粋）：

溶射により基板上に導体を形成する方法において、前記基板に絶縁層を溶射した後、該絶縁層の上に、導体材料と絶縁材料から成る混合層を溶射し、更に該混合層の上に導体層を溶射してなることを特徴とする導体の形成方法。

IPC (5件)：

H05B 3/16 ,  H01C 17/10 ,  H05B 3/20 317 ,  H05B 3/20 328 ,  H05B 3/20 330