特許

J-GLOBAL ID：200903032764485941

半導体レーザーの光強度制御装置

発明者： 足利 英昭
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中村 智廣 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-251004
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116119
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 複数本のレーザービームを用いたレーザー画像形成装置において、個々の半導体レーザー素子の点灯時及び/又は消灯時における微弱発光の光強度を検出し、点灯時及び/又は消灯時のバイアス電流制御等を行って、更なる高画質化を実現することが可能であり、制御動作を簡単に行うことが可能な半導体レーザーの光強度制御方法を提供することを目的とする。【構成】 n個の半導体レーザー素子を点灯状態及び消灯状態の可能な全ての2n 通りの組合せに設定した際に、前記光強度検出手段によって検出されるn本のレーザービームの光強度の検出値に基づいて、所定の連立方程式を解くことにより、n個の半導体レーザー素子の点灯時の光強度及び/又は消灯時の光強度を求め、当該光強度に応じてn個の半導体レーザー素子の点灯電流及び/又はバイアス電流を制御する制御手段とを備えるように構成した。

請求項（抜粋）：

n本(n≧2の整数)のレーザービームを出射する半導体レーザー光源を備え、この半導体レーザー光源を構成するn個の半導体レーザー素子に点灯電流を供給して各半導体レーザー素子を個別に点灯する点灯状態と、n個の半導体レーザー素子にバイアス電流を供給して各半導体レーザー素子を個別に微弱発光させる消灯状態とに、独立して設定可能とした半導体レーザーの光強度制御装置において、前記n個の半導体レーザー素子から出射されるn本のレーザービームの光強度を検出する光強度検出手段と、前記n個の半導体レーザー素子を点灯状態及び消灯状態の可能な全ての2n 通りの組合せに設定する設定手段と、前記設定手段によってn個の半導体レーザー素子を点灯状態及び消灯状態の可能な全ての2n 通りの組合せに設定した際に、前記光強度検出手段によって検出されるn本のレーザービームの光強度の検出値に基づいて、次の連立方程式を解くことにより、n個の半導体レーザー素子の点灯時の光強度(P1 、P2 、...Pn )及び/又は消灯時の光強度(p1 、p2 、...pn )を求め、当該光強度に応じてn個の半導体レーザー素子の点灯電流及び/又はバイアス電流を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザーの光強度制御装置。【数1】(ただし、P1 、P2 、...Pn はn個の半導体レーザー素子1、2、...、nを点灯させたときの各半導体レーザー素子の光強度、p1 、p2 、...pn はn個の半導体レーザー素子1、2、...、nを消灯(微弱発光)させたときの各半導体レーザー素子の光強度、S1 、S2 ...、S 2n はn個の半導体レーザー素子を点灯状態及び消灯状態の可能な全ての2n 通りの組合せに設定した際の光強度検出手段の検出値である。)

IPC (2件)：

H01S 3/103 ,  B41J 2/44