特許

J-GLOBAL ID：200903032769434857

LCフィルタ及びその周波数調整方法

発明者： 荒川 美智也 ,  竹村 達也 ,  古池 一公 ,  田中 秀明
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 松浦 喜多男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292036
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106916
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 周波数調整を簡易に行ない得る構造をもったLCフィルタを提供すること。【解決手段】 絶縁基板1の表面にアース電極を兼用する下部電極2a,2bを形成し、かつ該電極を含む絶縁基板1のほぼ全面を誘電体薄膜層4で覆って、該誘電体薄膜層4上の下部電極a,2bと対向する面領域に上部電極6a,6bを形成して、前記誘電体薄膜層4を介して上下の電極により並列共振用コンデンサC0 ,C0 を構成し、さらに、誘電体薄膜層4のほぼ全面を絶縁薄膜層10で覆って、その表面のあらかじめ確保されたインダクタ形成領域sに、並列共振用インダクタL1 ,L2 を形成し、薄膜層4,10を貫通する導電性スルホールh1,h2 を介して、該並列共振用インダクタL1 ,L2 の一端を下部電極2a,2bに接続し、他端を上部電極6a,6bに接続してLCフィルタを構成した。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面にアース電極を兼用する下部電極を形成し、かつ該電極を含む絶縁基板のほぼ全面を誘電体薄膜層で覆って、該誘電体薄膜層上の下部電極と対向する面領域に上部電極を形成して、前記誘電体薄膜層を介して上下の電極により並列共振用コンデンサを構成し、さらに、上部電極を含む誘電体薄膜層のほぼ全面を絶縁薄膜層で覆って、その表面のあらかじめ確保されたインダクタ形成領域に、並列共振用インダクタを形成し、薄膜層を貫通する導電性スルホールを介して、該並列共振用インダクタの一端を並列共振用コンデンサの下部電極に接続し、他端を並列共振用コンデンサの上部電極に接続してなることを特徴とするLCフィルタ。

IPC (4件)：

H01F 27/00 ,  H01F 21/12 ,  H01G 4/40 ,  H03H 7/075

FI (4件)：

H01F 15/00 D ,  H01F 21/12 ,  H03H 7/075 Z ,  H01G 4/40 321 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-256210
  
• 積層インダクタンス素子及びインダクタンス調整方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-332426   出願人：太陽誘電株式会社
• ノイズ・フィルタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-014400   出願人：池田毅
• 特開平2-256210