特許

J-GLOBAL ID：200903032770783911

半導体装置

発明者： 百島 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189136
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026386
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】クリーンルーム内の空気に含まれている水分の浸入により、フッ素を添加した絶縁膜の遊離フッ素が溶け込んでフッ化水素酸が生成され、このフッ化水素酸により、銅配線が腐食されるのを防止する。【解決手段】基板301上の第1の絶縁膜302に形成された溝と、前記溝に形成された第1の金属配線303と、第1の金属配線303と第1の金属配線303上に形成された第2の絶縁膜304と、第2の絶縁膜304に第1の金属配線303に達するように形成されたホール305と、ホール305に形成された第2の金属配線とを具備し、第2の絶縁膜304は、フッ素を添加した絶縁膜であり、少なくともホール305の側壁面に、第2の酸化膜304への水分の進入を防止する水分に対するバリア膜であるチタン薄膜306を設けた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上の第1の絶縁膜に形成された溝と、前記溝に形成された第1の金属配線と、前記第1の絶縁膜と第1の金属配線の上に形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜に表面から前記第1の金属配線に達するように形成されたホールと、該ホールに形成された第2の金属配線とを具備した半導体装置であって、 前記第2の絶縁膜は、フッ素を添加した絶縁膜であり、 前記ホールの側壁面と第2の金属配線との間に、前記第2の絶縁膜への水分の浸入を防止する水分に対するバリア膜を設けた ことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 A

Fターム (17件)：

5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX18