特許
J-GLOBAL ID：200903032774892588
薄膜製造用塗布液およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006494
公開番号（公開出願番号）：特開2002-211914
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：
【要約】【課題】 周期構造を有する低誘電率の薄膜で、残留不純物濃度を半導体用途に適合したレベルに低減した薄膜を製造するための薄膜製造用塗布液およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリカ原料、界面活性剤、触媒、水、溶媒を含む組成物であって、塩素不純物及びナトリウム不純物が夫々10ppm以下である薄膜製造用塗布液。シリカ原料、界面活性剤、触媒、水、溶媒およびイオン補足剤を含む組成物をろ過する薄膜製造用塗布液の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリカ原料、界面活性剤、触媒、水、溶媒を含む組成物であって、ハロゲン不純物及びナトリウム不純物が夫々10ppm以下であることを特徴とする薄膜製造用塗布液。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
4G072AA28
, 4G072BB09
, 4G072EE01
, 4G072EE05
, 4G072EE06
, 4G072EE07
, 4G072GG02
, 4G072GG03
, 4G072HH30
, 4G072KK01
, 4G072KK20
, 4J038AA011
, 4J038HA441
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038KA09
, 4J038MA08
, 4J038NA21
