特許
J-GLOBAL ID：200903032778672736
薄膜形成法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030608
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240379
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 残留ガスや残留水分を低減し、かつ蒸気圧の低い反応ガスの分圧の時間変化を適正に設定することができ、不純物の少ない高品質の薄膜を形成することができる薄膜形成法とその装置を提供する。【構成】 反応室内に薄膜の材料となる反応ガスをパルス的に供給し、反応室内に設置された電極間にパルス状の放電電圧を印加してプラズマを生成し前記反応ガスを分解すると共に、前記反応室内に設置された基板上で化学反応を起こさせ該基板に堆積させる薄膜形成法において、前記反応ガスの1つとして蒸気圧の低いガスを用い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時の当該ガスの分圧の1/5以下になるように、当該ガスを捕捉しつつ成膜を行なう。
請求項（抜粋）：
反応室内に薄膜の材料となる反応ガスをパルス的に供給し、前記反応室内に設置された電極間にパルス状の放電電圧を印加してプラズマを生成し前記反応ガスを分解すると共に、前記反応室内に設置された基板上で化学反応を起こさせ該基板に堆積させる薄膜形成法において、前記反応ガスの1つとして蒸気圧の低いガスを用い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時における当該ガスの分圧の1/5以下になるようにして、当該ガスを捕捉しつつ成膜を行なうことを特徴とする薄膜形成法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/08
, C23C 16/50
, H01L 21/31
