特許
J-GLOBAL ID：200903032785264449
無電解銅めっき皮膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308650
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158336
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、プリント配線板等を製造するために絶縁性基材上に無電解銅めっき皮膜を形成する方法に関し、薄い予備めっきと厚い本めっきとに分けて行う2段階無電解銅めっきにおける膨れ発生を防止することを目的とする。【構成】 本めっきは、トリアルカノールモノアミンまたはその塩を錯化剤かつ加速剤として含む無電解銅めっき液を用いて行い、予備めっきは、本めっきに用いる無電解銅めっき液よりも銅錯イオンの安定度定数が低いメッキ液を用いて行い、予備めっきと本めっきとの間に、本めっき層の応力により予備めっき層と基材との界面に間隙が形成されるのを防止するために行うベーキング処理と、ベーキング中に予備めっき層表面に形成された酸化銅皮膜を貴金属で置換することによって予備めっき層表面を本めっきのために十分活性化する貴金属置換処理とを行うように構成する。
請求項（抜粋）：
触媒処理された絶縁性基材表面に、対めっきマスクとしてのレジストパターンを形成した後、基材表面の微細な凹凸に追従し得る遅い析出速度で薄くめっきする予備めっき段階と、この薄い予備めっき層上に比較的速い析出速度で最終厚さにまでめっきする本めっき段階とに分けて無電解銅めっきを行う無電解銅めっき皮膜の形成方法において、上記本めっきは、銅イオン、銅イオン錯化剤、還元剤およびpH調整剤を含み且つトリアルカノールモノアミンまたはその塩を錯化剤かつ加速剤として含む無電解銅めっき液を用いて行い、上記予備めっきは、上記本めっきに用いる無電解銅めっき液よりも銅錯イオンの安定度定数が低いメッキ液を用いて行い、上記予備めっき終了後且つ上記本めっき開始前に、本めっき層に生ずる応力により予備めっき層と基材表面との界面に間隙が形成されるのを防止するために予め求めた温度および時間で行うベーキング処理と、該ベーキング処理中に予備めっき層表面に形成された酸化銅皮膜を貴金属で置換することによって予備めっき層表面を本めっきのために十分活性化する貴金属置換処理とを行うことを特徴とする無電解銅めっき皮膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 18/40
, H05K 3/18
, H05K 9/00
