特許

J-GLOBAL ID：200903032790496668

薄膜半導体装置およびその製造方法

発明者： 品川 陽明 ,  河内 玄士郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077047
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】薄膜半導体装置における金属配線製造プロセスの低コスト化と薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域での電流・電圧損失による特性低下の改善。【解決手段】薄膜半導体装置の金属配線の形成に、あらかじめ形成しておいた半導体の配線の少なくとも一部を電気化学的な置換反応で金属に置換する。また、薄膜トランジスタではソース・ドレイン領域の半導体の少なくとも一部を同じく電気化学的な置換反応で金属に置換する。金属配線形成における金属成膜装置の設備投資の削減による薄膜半導体装置製造の低コスト化が可能となり、薄膜トランジスタにおいてはオン電流の増加により特性が向上する。

請求項（抜粋）：

薄膜半導体装置の製造方法において、半導体で構成される部位の少なくとも一部を電気化学的な置換反応で金属に置換することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 27/148 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/28 K ,  H01L 27/14 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 J

Fターム (92件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD32 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD53 ,  4M104DD79 ,  4M104DD88 ,  4M104DD89 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104GG17 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA10 ,  4M118DA20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  5F040DC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EH02 ,  5F040FC21 ,  5F040FC27 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ11 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL06 ,  5F110HL21 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN32 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11