特許
J-GLOBAL ID：200903032791223096
結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-264280
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100728
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】成長雰囲気を局所的に制御し、成長雰囲気の不均一性という問題を回避することで、所望の発光波長分布を有する歪多重量子井戸導波路層の成長技術を実現し、半導体光素子の低コスト化に有利な成長装置を提供する。【解決手段】有機金属気相成長方法において、多元混晶からなる歪量子井戸層と障壁層とで構成される歪多重量子井戸構造を成長する際、前記量子井戸層と障壁層との成長中断時に、基板表面へ異なるガス流量のガスを照射するか、強度分布を有する熱線を部分的に照射し、成長面内の発光波長を制御し、大面積基板の波長均一化、或いは1回の成長で複数の要求波長を有する導波路層を作製する。
請求項（抜粋）：
1回の成長で少なくとも1枚以上の多数枚基板を設置できる結晶成長装置において、歪量子井戸層と障壁層からなる歪多重量子井戸導波路層の発光波長を基板面内で部分的に変化させることを特徴とする結晶成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01S 3/18 677
5F045AA04
, 5F045AB12
, 5F045AB18
, 5F045AD10
, 5F045AE17
, 5F045BB03
, 5F045BB08
, 5F045CA09
, 5F045DA54
, 5F045DA55
, 5F045DP18
, 5F045DQ06
, 5F045EC03
, 5F045EK12
, 5F045EM10
, 5F073AA74
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073DA05
