特許

J-GLOBAL ID：200903032798818877

光デバイス

発明者： 山本 和重 ,  清水 達雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270003
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091572
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載LSIに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。【解決手段】ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体であり、基板格子定数がゲルマニウムよりも小さく、基板面方位が{111}面であり、基板面と垂直な<111>軸方向に半導体格子を伸長される光電変換層を用いる光デバイスである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板格子定数がゲルマニウムよりも小さく、{111}面の基板面方位を有する基板と、 前記基板の{111}面上に配置され、ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体からなり、前記{111}面と垂直な<111>軸方向に半導体格子が伸長されている光電変換層と、を具備することを特徴とする光デバイス。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (12件)：

5F049MA03 ,  5F049MB03 ,  5F049MB05 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049SS03 ,  5F049SS08 ,  5F049SS09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• Ge光検出器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-515597   出願人：マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー

審査官引用 (1件)

• Ge光検出器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-515597   出願人：マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー