特許
J-GLOBAL ID：200903032800577025

EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法

発明者：
生田 順亮

生田 順亮 について

, 
伊藤 正文

伊藤 正文 について

, 
三上 正樹

三上 正樹 について


出願人/特許権者：
旭硝子株式会社

旭硝子株式会社 について


代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-110207
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260183
出願日： 2008年04月21日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】多層反射膜表面でのEUV波長域のピーク反射率の面内分布が解消されたEUVL用マスクブランクを製造する方法の提供。【解決手段】基板上に、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層させEUV光を反射する多層反射膜を成膜し、該多層反射膜表面におけるEUV波長域のピーク反射率分布を求め、得られた該多層反射膜表面のEUV波長域のピーク反射率分布に基づいて、EUV波長域のピーク反射率が最も低い部位よりもEUV波長域のピーク反射率が高い部位の少なくとも一部を局所加熱することにより、該多層反射膜の表面におけるEUV波長域のピーク反射率の面内均一性に関する要求値が±0.25%以内となるように、該多層反射膜の表面におけるEUV波長域のピーク反射率分布を補正し、該多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収膜を成膜することを特徴とするEUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクブランクの製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層させEUV光を反射する多層反射膜を成膜し、該多層反射膜表面におけるEUV波長域のピーク反射率分布を求め、得られた該多層反射膜表面のEUV波長域のピーク反射率分布に基づいて、EUV波長域のピーク反射率が最も低い部位よりもEUV波長域のピーク反射率が高い部位の少なくとも一部を局所加熱することにより、該多層反射膜の表面におけるEUV波長域のピーク反射率の面内均一性に関する要求値が±0.25%以内となるように、該多層反射膜の表面におけるEUV波長域のピーク反射率分布を補正し、該多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収膜を成膜することを特徴とするEUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクブランクの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (12件)：
2H095BA10 ,  2H095BB23 ,  2H095BB27 ,  2H095BB38 ,  2H095BC27 ,  2H095BD40 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046GD03 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11 ,  5F046GD20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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