特許
J-GLOBAL ID：200903032805425258
圧電/電歪膜型素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-270912
出願日： 1992年03月21日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：
【要約】【目的】 低作動電圧で大変位が得られ、また信頼性が高く、応答速度が早く、且つ発生力が大きい、更に高集積化が可能である、強度並びにアクチュエータ作動特性に優れた圧電/電歪膜型素子を提供する。【構成】 薄肉のセラミック基板と、該セラミック基板上に設けられた、電極及び圧電/電歪層からなる圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪素子において、該圧電/電歪作動部を膜形成する一方、前記セラミック基板を、結晶相が部分安定化され、且つその結晶相が、主として正方晶、若しくは立方晶、正方晶、単斜晶のうち2つ以上の結晶相の混晶からなる酸化ジルコニウムを主成分とする材料にて構成すると共に、かかる基板の表面粗さ:Raを0.03〜0.9μmの範囲とした。
請求項（抜粋）：
薄肉のセラミック基板と、該セラミック基板上に設けられた、電極及び圧電/電歪層からなる圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪素子にして、前記圧電/電歪作動部が膜形成法によって形成されている一方、前記セラミック基板が、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化マグネシウム及び酸化カルシウムからなる群より選ばれた少なくとも一つの化合物の含有によって結晶相が部分安定化され、且つその結晶相が、主として正方晶、若しくは主として、正方晶、立方晶、単斜晶のうちの少なくとも2種以上の結晶相を含む混晶からなる酸化ジルコニウムを主成分とする材料から構成されていると共に、かかるセラミック基板の表面粗さ:Raが、0.03〜0.9μmの範囲内とされていることを特徴とする圧電/電歪膜型素子。
IPC (2件)：
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