特許
J-GLOBAL ID:200903032805967840
高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
富田 和夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-077572
公開番号(公開出願番号):特開平6-264231
出願日: 1993年03月11日
公開日(公表日): 1994年09月20日
要約:
【要約】【目的】 直流スパッタリング法により高誘電体薄膜を形成することのできるターゲット材およびその製造法を提供する。【構成】 (1) BaとSrのチタン酸複合化合物の周囲を酸化チタン(TiO<SB>2-z </SB>、但し、0≦z<2)が包囲している複合被覆粒子が金属Ti素地中に均一分散している組織を有する材料で構成されたターゲット材。(2) 上記(1)の材料素地中に、さらにTiO<SB>2 </SB>粉末が均一分散している組織を有するターゲット材。(3) (Ba<SB>x</SB>Sr<SB>1-x </SB>)TiO<SB>3 </SB>粉末に、Ti粉末またはTi粉末およびTiO<SB>2 </SB>粉末を混合し、ホットプレスするターゲット材の製造法。
請求項(抜粋):
BaとSrのチタン酸複合化合物の周囲を酸化チタン(TiO<SB>2-z </SB>、但し、0≦z<2)が包囲している複合被覆粒子が金属Ti素地中に均一分散している組織を有することを特徴とする高誘電体薄膜製造用ターゲット材。
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