特許

J-GLOBAL ID：200903032807150485

電極形成方法

発明者： 平野 光 ,  シリル ペルノー ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302540
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127334
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 p-Alx Ga1-x N層の表面にAlの組成比xが0.2以下の高濃度コンタクト層を設けることなく、p-Alx Ga1-x N層(x>0.2)上に良好なオーミック接触の電極を形成可能な電極形成方法を提供する。【解決手段】 p-Alx Ga1-x N層1の表面に、Ni、Au、PtまたはWの単層金属膜、或いは、Ni、Au、Pt、Wの内の2種以上からなる多層金属膜または合金層からなる金属電極6を蒸着形成し、その後、金属電極6とp-Alx Ga1-x N層1の間に電流を流す通電処理により、金属電極6とp-AlxGa1-x N層1間の電気的接触をオーミック化する。更に、通電処理と熱処理を併用してもよい。また、p-Alx Ga1-x N層1上に金属電極6を少なくとも2つ形成し、通電処理を2つの電極6間で行うのも好ましい。

請求項（抜粋）：

p-Alx Ga1-x N層(x>0.2)の表面に、Ni、Au、PtまたはWの単層金属膜、或いは、Ni、Au、Pt、Wの内の2種以上からなる多層金属膜または合金層からなる金属電極を蒸着形成し、その後、前記金属電極と前記p-Alx Ga1-x N層の間に電流を流す通電処理により、前記金属電極と前記p-Alx Ga1-x N層間の電気的接触をオーミック化することを特徴とする電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

G01J 1/02 J ,  H01L 31/10 H ,  H01L 29/46 G

Fターム (30件)：

2G065AA04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  2G065CA08 ,  2G065DA06 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG05 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MA15 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA10 ,  5F049NB10 ,  5F049PA11 ,  5F049PA15 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SE20 ,  5F049WA05