特許

J-GLOBAL ID：200903032808158226

マイクロ波プラズマCVD法による光受容部材形成方法

発明者： 秋山 和敬 ,  白砂 寿康 ,  橋爪 淳一郎 ,  山村 昌照
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293385
公開番号（公開出願番号）：特開平5-134438
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】【目的】 外部電気バイアス電圧を用いたマイクロ波プラズマCVD法による光受容部材の形成方法において、光受容部材の電気特性、画像特性、耐久性を向上させ、加えて製造上の歩留まりを向上させる。【構成】 導電性基体上に非単結晶シリコンを主体とした光導電層、表面層からなる光受容部材の、外部電気バイアス電圧を用いたマイクロ波プラズマCVD法による形成方法であって、放電を生起せしめる時の外部バイアス電圧を光導電層形成時の電圧よりも低くする。かつ光導電層中に水素原子と炭素原子を含有し、炭素原子含有量が基体側表面で多く、表面層側表面で0%となるように分布し、表面層に炭素原子、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子及び窒素原子を同時に含有する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波導入手段、バイアス電圧印加手段、原料ガス導入手段及び排気手段を設けた実質的に密封し得る反応容器内に、放電空間を取り囲むように導電性基体を配置し、該放電空間にマイクロ波を導入し、原料ガスに由来する成膜に寄与する反応物質を含むマイクロ波放電プラズマを形成し、放電空間中に設けた電極に外部電気バイアス電圧を印加して、前記導電性基体表面にシリコンを母材とする非単結晶材料で構成された光導電層、表面層よりなる光受容層を形成する光受容部材形成方法であって、前記光導電層中に全層にわたって炭素原子及び水素原子を含有し、該炭素原子の含有量が層厚方向に不均一に、かつ導電性耐側で含有量が多くなるように分布し、前記表面層中に炭素原子、水素原子及びハロゲン原子、さらに酸素原子及び窒素原子を同時に含有する光受容部材を形成する方法において、前記マイクロ波放電プラズマを生起せしめる際に、前記導電性基体に印加する外部電気バイアス電圧を、前記光導電層形成時に印加する電圧に対して実質的に低い電圧で印加し、かつ放電を生起せしめた後に該外部電気バイアス電圧を光導電層形成時に印加する電圧まで高める工程を有する光受容部材形成方法。

IPC (7件)：

G03G 5/08 360 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 304 ,  G03G 5/08 305 ,  G03G 5/08 312 ,  G03G 5/08 313