特許
J-GLOBAL ID:200903032809242557

光検出または照射用プローブの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長尾 達也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-120059
公開番号(公開出願番号):特開平11-295327
出願日: 1998年04月14日
公開日(公表日): 1999年10月29日
要約:
【要約】【課題】本発明は、微小開口の開口径が再現性良く形成でき、さらに開口径を任意の径に制御して形成することができる光検出または照射用プローブの製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、Si単結晶基板表面にマスク層を形成する工程と、該マスク層にエッチング口を形成する工程と、該エッチング口よりSi単結晶基板に異方性エッチングによって微小開口を形成する工程と、を有する光検出または照射用プローブの製造方法であって、前記微小開口の形成が、異方性エッチングによる微小開口の形成を検知した後、さらに該エッチングの時間を制御することにより行われることを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
Si単結晶基板表面にマスク層を形成する工程と、該マスク層にエッチング口を形成する工程と、該エッチング口よりSi単結晶基板に異方性エッチングによって微小開口を形成する工程と、を有する光検出または照射用プローブの製造方法であって、前記微小開口の形成が、異方性エッチングによる微小開口の形成を検知した後、さらに該エッチングの時間を制御することにより行われることを特徴とする光検出または照射用プローブの製造方法。
IPC (2件):
G01N 37/00 ,  G11B 7/09
FI (2件):
G01N 37/00 E ,  G11B 7/09 D
引用特許:
審査官引用 (5件)
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