特許
J-GLOBAL ID：200903032811037499
ECRプラズマエツチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-203954
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029267
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 ECRプラズマを用いたプラズマエッチング装置に於て、低いガス圧力で高密度の均一な大口径のプラズマが得られるようにする。【構成】 金属製の単軸円筒からなる共振器1の内部に、導波管2及び結合孔3によって高次のTE01モードのマイクロ波励振を導入する。真空室9内にウェハ12を載置し、導入管10を介してエッチングガスを導入する。共振器1の上方及びウェハ12の下方にそれぞれ配置した第1及び第2の磁石15、16によって、共振器内に磁界を発生させる。【効果】 高密度のプラズマで速い反応加工速度が維持され、大型基板のエッチング処理が可能になり、かつ装置全体が小型化される。
請求項（抜粋）：
エッチングガスが導入される放電空間を郭成する真空室と、前記真空室を内包する共振器と、前記共振器内に磁界を発生させる磁界発生手段と、前記真空室内にマイクロ波電力を供給する手段とを備え、電子サイクロトロン共鳴により前記真空室内に載置された試料をエッチングするECRプラズマエッチング装置であって、前記共振器が金属製の短軸円筒からなり、前記マイクロ波電力供給手段が、前記短軸円筒に設けた結合孔または結合コイルを介してTE0nモードのマイクロ波励振を行い、かつ、前記磁界発生手段が、前記短軸円筒の軸線に沿ってその一方の側部に配置された第1の磁石と、他方の側部にかつ前記試料より外側に配置された第2の磁石とからなり、前記短軸円筒の軸線と平行に磁界を発生させるようになっていることを特徴とするECRプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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