割断方法、割断装置及びチップ材料

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179046
公開番号（公開出願番号）：特開平9-029472
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】【目的】レーザによる基板の割断方法で、割断起点付近の割断方向の精度を向上させる方法を提供すること。【構成】セラミック基板2の裏面をエッジ型治具6Aや半球型治具6Bで冷却し、表面にレーザ光1を照射すると、初期亀裂が発生する。この初期亀裂から所定の方向にレーザ照射して割断を行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも被処理基板の割断開始点を局所的に冷却し、上記割断開始点をレーザ照射して初期亀裂を形成し、レーザ照射により、上記初期亀裂から割断を行うことを特徴とする割断方法。

IPC (6件)：

B23K 26/00 320 , B23K 26/00 , B23K 31/00 , B28D 5/00 , H01L 21/301 , H01S 3/104

FI (8件)：

B23K 26/00 320 E , B23K 26/00 M , B23K 26/00 G , B23K 31/00 J , B28D 5/00 A , H01S 3/104 , H01L 21/78 T , H01L 21/78 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

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