特許
J-GLOBAL ID：200903032812360862
改質装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206144
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058189
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】半導体装置等の改質装置におけるごみの付着低減。【構成】被処理物を処理室内でその周辺を保持する。【効果】処理性能を大幅に犠牲にすること無くごみの付着量を1/1000程度に低減出来る。
請求項（抜粋）：
被処理物がその周辺で保持され、前記被処理物を輻射加熱すると同時に紫外線と酸化性の反応ガスに曝し前記被処理物表面を改質することを特徴とする改質装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, G11B 5/84
, H01L 21/26
, H01L 21/324
