特許

J-GLOBAL ID：200903032814886748

太陽電池の製造方法

発明者： 安居院 高明 ,  高本 達也
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239716
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078707
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】簡単な工程で全面に均一にCdCl2を付着し、CdTeなどの多結晶の半導体層の結晶粒を均一に大きくし、また、粒界の溝を小さくし、大面積の太陽電池における変換効率などの特性を向上しうる製造方法を提供する。【構成】CdTe、CdSeおよびCdSのうち少なくとも1種類からなる多結晶の半導体層4を形成し、該半導体層4の表面がCdCl2溶液5に浸漬された状態でその表面にCdCl27を析出し、その後、該半導体層4を熱処理するものである。

請求項（抜粋）：

CdTe、CdSeおよびCdSのうち少なくとも1種類からなる多結晶の半導体層を形成し、該半導体層の表面がCdCl2溶液に浸漬された状態でその表面にCdCl2を析出し、その後、該半導体層を熱処理することを特徴とする太陽電池の製造方法。