特許
J-GLOBAL ID：200903032817051698
不揮発性記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-250881
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【構成】4つのMFSFET24,25,26,27からフリップフロップ回路20を構成し、このフリップフロップ回路20に一対の書き込み・読み出し用のFET21,20をそれぞれ接続する。【効果】MFSFET24,25,26,27は、強誘電体膜23の残留分極により、チャネル形成状態を保持するので、電源OFF時にも、フリップフロップ回路20は電源OFF直前の状態を保持することとなる。そのため、非破壊読み出しが可能となる。
請求項（抜粋）：
4つの電界効果トランジスタから構成され、情報を記憶するフリップフロップ回路と、フリップフロップ回路にそれぞれ接続され、フリップフロップ回路に対して情報の書き込み・読み出しを行う一対の電界効果トランジスタとを備え、上記フリップフロップ回路の各電界効果トランジスタは、電荷を蓄積するための強誘電体膜を有することを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 307 C
, G11C 11/40 101
