特許

J-GLOBAL ID：200903032819609769

化合物半導体気相成長方法

発明者： 目黒 健 ,  永井 久隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266624
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106299
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】 高純度な基板・エピタキシャル界面を有するエピタキシャルウェハが得られる化合物半導体気相成長方法を提供する。【解決手段】 水素雰囲気の反応炉内で加熱した基板にハロゲン化炭素を導入すると、基板表面に付着している主なn型不純物であるSiやSと水素とハロゲン化炭素とが反応してSiHyAz、SHyAz(y,zは0〜4の整数)を生成する。これらの化合物は、SiやSが単体で存在するときに比べ、かなり高い蒸気圧を有するので、基板表面から脱離しやすくなり、常に水素をパージすることにより排気される。このような作用によりSiやS等のn型不純物を除去することができる。その後、原料ガスを流してエピタキシャル成長を開始する。これにより、n型不純物が非常に少ない高純度の基板・エピタキシャル層界面を形成することができる。

請求項（抜粋）：

反応炉内に基板を設置した後水素雰囲気にすると共に加熱し、 III族原料ガス及びV族原料ガスを反応炉へ供給し、上記基板表面上にIII-V族化合物半導体をエピタキシャル成長させる気相成長方法において、加熱した基板表面上に目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に、水素雰囲気にした反応炉中にハロゲン化炭素を導入することを特徴とする化合物半導体気相成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/40 502 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/40 502 B ,  C30B 25/02 Z ,  H01L 21/205