特許
J-GLOBAL ID：200903032819934147
透明導電膜および光電変換半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246666
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106615
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 結晶欠陥の少ないZnO膜への不純物ドーピングに基づく低抵抗化ZnO透明導電膜およびそれを用いた光電変換半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ZnOの分子線、またはZnおよびOの分子線を用いてZnO膜を作製する際に、IA族(H)、IIIA族(B、Al、Ga、In)、またはVIIA族(F、Cl、I、Br)のいずれかの原子の分子線を用いてZnO膜中に不純物をドーピングすることにより、制御性良く電気抵抗を低減化させる。
請求項（抜粋）：
ZnOの分子線と、IA族、IIIA族、またはVIIA族のいずれかの原子の分子線とを膜を形成しようとする基体上へ照射することにより前記原子のドープされたZnOからなる透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 31/04
, C01G 9/02
, C23C 14/08
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
