特許

J-GLOBAL ID：200903032822961082

Pt薄膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： 森 暁 ,  内山 直樹
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225702
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067974
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 厚さが均一でありかつα粒子の放射量が少ないPt薄膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【構成】 純度:99.999重量%以上のPtにおいて、Fe、Ni、Coの内の1種または2種以上を合計で0.5〜5ppmを含有し、かつUおよびTh、並びにこれら崩壊核種を主体とする放射性同位元素の含有量を5ppb以下を含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Fe、Ni、Coの内の1種または2種以上を合計で0.5〜5ppmを含有し、かつUおよびTh、並びにこれら崩壊核種を主体とする放射性同位元素の含有量を5ppb以下にした純度:99.999重量%以上のPtからなることを特徴とするPt薄膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/203