特許

J-GLOBAL ID：200903032823757543

ペロブスカイト型材料の薄膜を作製する方法

発明者： ズュクリュ ユィルマツ ,  ティルマライ ヴェンカテサン
出願人/特許権者： ハインリッヒ-ヘルツ-インスティテュート フュール ナッハ リヒテンテヒニーク ベルリン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  ベルコア ベル コミュニケイションズ リサーチ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-208895
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 多かれ少かれ複雑なペロブスカイト型材料からなる薄膜のエピタキシャル成長を、材料成分の化学量論的組成での均一な析出を伴なって惹起させる(ABX3結晶構造)。【構成】 そのために、2つのアブレーションすべき物質混合物を準備し、そのうち一方が位置Aおよび/またはBおよび/またはXに対する成分の少なくとも2つからなり、他方が位置AないしはBに対する易蒸発性成分を含有する。双方の物質混合物をほとんど同時にアブレーションする、つまり易蒸発性成分に関して補償を行なう。双方の物質混合物は、ターゲット32のセクター42,44として回転可能のターゲットホルダ30に固定されていて、交互にパルスレーザー光線によってアブレーションすることができる。ABX3結晶構造を有する材料には、ピエゾ-/熱-/光電気的性質を有する強誘電体/反強誘電体および高温超伝導体が所属する。

請求項（抜粋）：

ABX3結晶構造を有するペロブスカイト型材料の成分を含有する物質混合物の蒸発および加熱された基板上でこのペロブスカイト型材料のエピタキシャル成長によってペロブスカイト型材料の薄膜を作製する方法において、-ペロブスカイト型材料の位置Aおよび/またはBおよび/またはXの成分の少なくとも2つの化学量論的割合からなる第1のアブレーションすべき物質混合物を準備し;-ペロブスカイト型材料の位置AないしはBの易蒸発性成分を含有する第2の多種の物質混合物を準備し;-基板を、ペロブスカイト型材料の成長力学に関して経験により確かめた温度に加熱し、この基板温度をエピタキシャル成長時間の間維持し;-上記の両物質混合物をほとんど同時にアブレーションし、アブレーションすべき成分を易蒸発性成分過剰に調製し;-温かい基板上でペロブスカイト型材料の成分の化学量論的割合での析出および薄膜のエピタキシャル成長を惹起させ;-成長した膜を有する基板を、析出の間支配するガス圧の維持下に冷却することを特徴とするペロブスカイト型材料の薄膜を作製する方法。

IPC (4件)：

C30B 23/08 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 29/30 ZAA