特許

J-GLOBAL ID：200903032829030238

非イオン化ガスのリアクター環境における終点を検出するための装置及び方法

発明者： モラン ジョン シー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571479
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525867
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】半導体製造プロセスを制御するための装置及び方法。本方法は、半導体製造プロセスの副産物をサンプリングし、前記プロセスからサンプルを分子し、前記サンプルを励起して放射を生成し、且つ前記放射を分析するステップを有する。小さなチャンバが前記プロセスチャンバに加えられて、前記主チャンバにおいて起きる反応の副産物をサンプリンする。励起源によって供給されるエネルギーが前記分析チャンバ内の副産物を励起して放射を生成する。好ましくは、副産物は、前記分析チャンバ内に放電を生成するためにRFエネルギーによってイオン化される。この放電からの放射は、IR、UV、又は可視光線であり、例えばOESのような従来の光学技術によって分析される。本方法及び装置は、通常非イオン化されたガス状の相互作用に対して光学的な終点の検出を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体処理装置の主処理チャンバ内の半導体製造プロセスを監視するための装置であって、 前記主処理チャンバに結合されれた分析チャンバと、 前記分析チャンバに結合された励起源と、 前期分析チャンバに結合された光学分析器と、を有することを特徴とする装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G01N 21/71 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

G01N 21/71 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 H

Fターム (21件)：

2G043AA03 ,  2G043CA02 ,  2G043CA05 ,  2G043DA05 ,  2G043DA06 ,  2G043DA08 ,  2G043EA06 ,  2G043GA07 ,  2G043GA09 ,  2G043GB07 ,  2G043HA01 ,  2G043JA04 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043LA01 ,  2G043MA04 ,  2G043NA06 ,  5F004BA04 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16