特許

J-GLOBAL ID：200903032831194671

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鈴木 篤
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-101326
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228547
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】Pチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの価電子帯上端の仕事関数値に近づけるとともに、Pチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの伝導帯下端の仕事関数値に近づけることで、しきい値電圧の低減を図る。【解決手段】Pチャネルトランジスタ1とNチャネルトランジスタ2とを有する半導体装置であって、Pチャネルトランジスタ1のゲート電極21はインジウムヒ素からなり、Nチャネルトランジスタ2のゲート電極31はインジウムからなるものであり、もしくは、Pチャネルトランジスタ1のゲート電極21はモリブデンからなり、Nチャネルトランジスタ2のゲート電極31はモリブデン・タングステン合金からなるものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを有する半導体装置であって、 前記Pチャネルトランジスタのゲート電極はインジウムヒ素からなり、 前記Nチャネルトランジスタのゲート電極はインジウムからなる ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G

Fターム (69件)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD33 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG50 ,  5F140BG51 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18