特許

J-GLOBAL ID：200903032833123950

オフ基板上でのカーボンナノチューブの製造方法

発明者： 粟野 祐二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (5件)： 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235015
公開番号（公開出願番号）：特開2004-075422
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】カーボンナノチューブの成長場所、直径、配向性及びカイラリティーを制御したカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】特定の対称性の高い結晶方位から1次元方向又は2次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション(CVD)成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

特定の対称性の高い結晶方位から1次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション(CVD)成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (7件)：

C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C30B29/62 ,  C30B29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06

FI (7件)：

C01B31/02 101F ,  C23C16/26 ,  C30B29/62 S ,  C30B29/66 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601N

Fターム (36件)：

4G077AA04 ,  4G077BA02 ,  4G077DB16 ,  4G077ED05 ,  4G077EE05 ,  4G077EJ09 ,  4G077TK06 ,  4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD03 ,  4G146AD05 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB11 ,  4K030CA00 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  5F045AA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045EH20