特許
J-GLOBAL ID：200903032853136918

高耐熱半導体装置

発明者：
菅原 良孝

菅原 良孝 について

, 
東海林 義和

東海林 義和 について


出願人/特許権者：
関西電力株式会社

関西電力株式会社 について

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旭電化工業株式会社

旭電化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 山崎 宏 ,  大畠 康 ,  大森 忠孝 ,  東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-258673
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073950
出願日： 2004年09月06日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】150°C以上の高温で使用するSiCなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得ること。【解決手段】ワイドギャップ半導体素子13の外面を、シロキサン(Si-O-Si結合体)による橋かけ構造を有する1種以上のケイ素含有重合体を含有する合成高分子化合物16で被覆する。前記合成高分子化合物は、例えば、Si-R1、Si-O-R2及びSi-R3-OCOC(R4)=CH2の群から選ばれる一種または二種以上の反応基(A')を有し、Si-O-Si結合による橋かけ構造を一箇所以上有する、重量平均分子量1000以下の成分が20重量%以下のケイ素含有重合体である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの半導体素子を備え、前記半導体素子及び前記半導体素子を外部の機器に電気的に接続するための電気接続手段の少なくとも一部分を合成高分子化合物で被覆した半導体装置であって、 前記合成高分子化合物は、下記の(A)成分、(B)成分及び(C)成分の各ケイ素含有重合体、及び下記の(D)成分の触媒を含有するケイ素含有硬化性組成物を熱硬化させた硬化物であり、 前記(A)成分は、Si-R1、Si-O-R2及びSi-R3-OCOC(R4)=CH2の群から選ばれる一種または二種以上の反応基(A')を有し、Si-O-Si結合による橋かけ構造を一箇所以上有する、重量平均分子量1000以下の成分が20重量%以下のケイ素含有重合体であり[前記R1及びR2はアルキレン基及び/またはアリーレン基を含んでもよい炭素数2〜20のアルケニル基であり、前記R3は炭素数1〜9のアルキレン基及び/またはアリーレン基であり、前記R4は水素またはメチル基である]、 前記(B)成分は、Si-H基を有し、Si-O-Si結合による橋かけ構造を一箇所以上有する、重量平均分子量1000以下の成分が20重量%以下のケイ素含有重合体であり、 前記(C)成分は、Si-R1、Si-O-R2及びSi-R3-OCOC(R4)=CH2の群から選ばれる一種または二種以上の反応基(A')を有し、さらにSi-H基を有し、Si-O-Si結合による橋かけ構造を一箇所以上有する、重量平均分子量1000以下の成分が20重量%以下のケイ素含有重合体であり、 前記(D)成分は、白金系触媒である硬化反応触媒である、 ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 31/12
FI (2件)：
H01L23/30 F ,  H01L31/12 C
Fターム (12件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA04 ,  4M109EA10 ,  4M109EB04 ,  4M109EC07 ,  5F089AA10 ,  5F089AB03 ,  5F089AC02 ,  5F089CA02 ,  5F089CA21 ,  5F089DA14
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3395456号公報
  • 特許第3409507号公報
審査官引用 (2件)

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