特許
J-GLOBAL ID：200903032854098963
導電膜および低反射導電膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190090
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【構成】ルテニウム化合物を溶液中で酸化あるいは加水分解することにより調整したルテニウムの酸化物かつ/またはその部分加水分解物の分散した導電膜用溶液を、基体表面に塗布後加熱して導電膜を形成する。さらにこの上にSi化合物を含む溶液を塗布後、加熱して導電膜より低屈折率の膜を形成し、2層からなる低反射導電膜を形成する。【効果】PVD法のように大掛かりな設備を必要とせず、生産性良く低反射導電膜を製造できる。
請求項（抜粋）：
ルテニウム化合物を溶液中で酸化あるいは加水分解することにより、ルテニウムの酸化物かつ/またはその部分加水分解物の分散した導電膜形成用塗布液を調製し、この塗布液を基体上に塗布した後加熱して、酸化ルテニウムを主成分とする導電膜を形成することを特徴とする導電膜の製造方法。
IPC (2件)：
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